В ИНМЭ РАН скептически отнеслись к появлению нового полупроводника из графена

Фото: РИА Новости/Виталий Белоусов

Электроники на его основе может «никогда не случиться».

Американские учёные в исследовании не описали практического действия нового материала. Для реализации проекта нужно решить ряд проблем, рассказал в беседе с радиостанцией «Говорит Москва» руководитель научного направления «Микроэлектроника» Института нанотехнологий и микроэлектроники РАН Николай Шелепин.

«Масса прорывных идей, которые показывали какой-то эффект в учёных исследованиях, потом оказывались неприменимыми с точки зрения массового производства. Потому что в массовом производстве есть понятие «технологичность». Нужно, чтобы всё состыковывалось с существующими материалами, существующими действиями. В статье ничего не сказано. Ну есть подложка карбида кремния, на неё положили графен. Грубо говоря, там написано: меняется проводимость, но не написано, получается ли из него транзистор. Нужно решить технологическую проблему и решить техническую проблему, а этого ничего не написано. Поэтому это может как занять пять-десять лет, так и вообще никогда не случиться».

Ранее учёные из Технологического института Джорджии сообщили о создании первого функционального полупроводника из графена. Они создали графен на пластинах карбида кремния с использованием специальных печей. Таким образом получив эпитаксиальный графен, объединённый с карбидом кремния. Измерения показали, что графеновый полупроводник обладает в десять раз большей подвижностью, чем кремниевый. Для электроники это означает более высокую скорость вычислений, отмечает Science Daily.